存储板块震荡回落、成交额持续放大！科创芯片设计ETF国联安(588780)盘中换手率超5%，半导体ETF国联安(512480)盘中成交额超6亿

截至5月19日10:21，A股三大指数回调，存储芯片板块震荡回落，市场成交额持续放大，资金参与意愿较高。科创芯片设计ETF国联安(588780)跌2.22%，盘中换手率超11%，成交额超1亿元，市场交投活跃。

半导体ETF国联安(512480)跌2.19%，盘中换手率超6%，成交额超12亿元。

截至前一交易日，科创芯片设计ETF国联安（588780）近一月涨幅24.23%，近三月涨幅23.41%，近六月涨幅53.57%，近一年涨幅116.09%，过往表现突出。该基金近5日“吸金”超4500万元，近10日“吸金”超1.2亿元；近一月日均成交额2.6亿元，排名同类第一，场内交投活跃、流动性强。

截至前一交易日，半导体ETF国联安（512480）近一月涨幅26.41%，近三月涨幅24.35%，近六月涨幅45.85%，近一年涨幅101.17%。截至前一交易日，该基金近一月日均成交额17.9亿元，排名同类第一，场内交投活跃、流动性强。

消息面上，长鑫科技正上演中国科技史上最惊人的财务逆袭：2026年上半年净利润预计最高570亿，日赚近4亿，估值直指万亿。AI吞噬内存、DRAM价格暴涨近100%。

全球正在经历一个史诗级的存储芯片周期。TrendForce数据显示，2026年第一季度DRAM合约价格环比涨幅高达93%至98%；第二季度仍维持58%至63%的涨幅预期。国家发改委价格监测中心数据显示，截至2026年1月，主流DRAM产品价格已创2016年以来的历史最高纪录。三星、SK海力士、美光三大阵营2026年全部产能均已宣布出售。

中银证券表示，受益于整体半导体市场的复苏，以及高性能计算和高带宽存储器制造对先进材料需求的增长，全球半导体材料市场规模保持增长态势。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、规模最大的产品。

此外，半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：“成立最早、规模最大”指截至2026.4.30，科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、规模最大的产品。

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