长鑫与晋华:十年殊途

发布时间:

2026-08-14 17:57:53

来源:司库财经
长鑫与晋华:十年殊途

作者/质子

编辑/嘉嘉

在IPO上市后,长鑫科技创造出了A股神话:科创板规模最大的IPO、A股首支开盘市值破3万亿个股、单日成交额破千亿新股……在长鑫科技辉煌的同时,这让很多人想起福建晋江的晋华。

曾经合肥长鑫和晋江晋华是中国存储芯片的双雄,它们都诞生在2016年,都是肩负存储芯片国产化的大旗,

都获得地方政府和产业资本的全力扶持,被视为国企业挑战海外科技霸权的英雄。

但在十年之后,站在同一起跑线上的两家企业却有了不同的命运:一个成为A股之王,另一个则默默无闻。为什么站在相同起点上的长鑫与晋华,却交出了一份不一样的答卷?

【1】中国存储芯片启航

2016年是改写中国存储芯片产业的一年,那一年,长鑫与晋华分别在合肥、晋江两地建立生产基地,这是中国国产厂商第一次在存储芯片领域向三星、海力士、美光这些海外巨头发起挑战。

彼时中国存储芯片进口额高达680亿美元,占到整个半导体进口额的三分之一,“发展集成电路势在必行,这是传统制造大国,是中国未来的发展方向”,福建省电子信息集团董事长邵玉龙认为,中国必须有自己的存储芯片产业。

在国产平替的浪潮下,兆易创新创始人朱一明出资45亿元,与合肥政府一同砸下180亿元在合肥建立长鑫生产基地:而邵玉龙则带领福建省电子信息集团与晋江政府合作,以370亿元的总投资在晋江创立晋华。

(来源互联网)

不论是朱一明还是邵玉龙都希望将长鑫或是晋华打造成中国存储芯片的领军者,补齐中国存储芯片的市场空白。

在外人看来,晋华与长鑫是含在金钥匙里出生,要资金有资金,要扶持有政策,但只有圈内人才知道它们与国外巨头的鸿沟:

在技术上,刚创立时,长鑫晋华存储芯片的研发工艺分别为18nm、32nm,而海外18nm已经实现量产,并开始推出10nm级的存储芯片产品,技术上领先长鑫晋华两个身位;

在市场占有率上,2016年,三星、海力士、美光分别占据全球市场份额的45%、29%、21%,几乎垄断了全球DRAM的产能;而彼时的长鑫和晋华仍然处在硬件设备、建立工厂的筹备阶段;

在客户认可度上,三大巨头绑定了全球主要的3C巨头,已经形成了几十年稳定的供应关系,这些厂商很难冒着品控风险去当长鑫晋华的“小白鼠”;

可以说,晋华和长鑫入局存储芯片,就像是新手村的新人对满级大佬发出的挑战,几乎没有人看好。

“晋华项目启动,意味着我们艰辛的日子开始了,我们十分清楚做好存储产品很难,我们也十分清楚,与国际前三强企业之间的差距”,邵玉龙表示,晋华、长鑫入局存储,未来面对的将是一场恶仗。

【2】两条不一样的选择

产能可以通过砸钱获取,用户认可度可以通过后期逐步积累,但如何在技术上追赶海外三巨头?这就成为长鑫、晋华当时最大的难点。

为此晋华与长鑫采取了不同的路线:

晋华采用引进来的策略,与台湾联电开展技术合作,由晋华提供资金,建设12英寸晶圆厂以及提供特用设备,联华则负责技术,开发32纳米DRAM工艺,开发成果由双方共享。

长鑫则在德国奇梦达、美国Rambus处掌握了46nm全部技术后,孤注一掷地投入25亿美元,自己研制18nm的存储芯片。

(来源:长鑫官网)

可以看出,在攻克存储芯片的道路上,晋华的策略是利用资金优势与外部掌握技术的合作伙伴强强联合,试图用一条最快捷的路迅速追赶国外巨头;而长鑫则是立足自己,由技术团队自研的慢路线。

对于大多数人来说,相比长鑫,晋华跑出来的优势更大,一是在资金规模上,370亿对180亿有着碾压式的优势,二是在路线上,借助台湾成熟的存储芯片研发团队,他们有技术有经验,在商业化进度上会走得更快。

事实也证明了晋华路线的成功,2018年7月,晋华一期产线已经建成,已经安装了200台半导体设备,预计于2018年第三季度试产,次年年初就可以投产,一期月产能达到6万片,后期将增长至12万片/月。

从2016年到2018年,晋华仅用了不到三年的时间就完成了生产基地建设、产线安装、批量试产等环节,“目前中国的存储芯片厂商中,量产最快的是晋华”,在第一财经的一篇报道中,有半导体行业内部人士表示,晋华的速度超乎想象。

可以说,晋华已经拿到了“大陆第一家量产DRAM存储技术厂商”的桂冠,就差戴在自己头上。

【3】打压下的不同命运

不知是命运的捉弄还是海外三巨头的精准打击,在即将量产的当下,晋华迎来了当头一棒:

2018年10月因受到外部不可控因素影响,联电也宣布暂停为福建晋华提供研发协助,其产线上的国外半导体设备获得不到技术支持。

(来源:第一财经)

从技术源头到生产设备,晋华在量产前面临技术设备的断供停产,根本毫无还手之力,从一家冲刺量产存储芯片的明星企业变成一家维持存在的公司,截止2025年,晋华年营收只有7.5亿元,整体估值只有800 亿元。

其实相似的情景也在长鑫身上重演,2022年,在突破18nm工艺实现存储芯片量产后,长鑫受到不可控因素影响,无法从国外进口18nm以下的光刻机等设备,但长鑫没有重蹈晋华的覆辙:

一方面长鑫拥有自研能力,拥有全套的专利,五代工艺技术平台利用多重曝光技术,进一步提升存储密度和阵列性能,解决了因缺少光刻机导致的工艺问题。

二是中国半导体设备产业开始崛起,能够实现国产平替。2019年时,长鑫产线中的国产半导体设备只有14%,但随着北方华创在刻蚀设备、华海清科在CMP等领域的崛起,2025年长鑫新建产线中,其设备的国产化率达到50%。

靠着半导体国产化的替代品和自研能力,长鑫并没有屈服,反而一路狂奔——据Counterpoint Research数据显示,2026年第二季度,长鑫占据全球7%的市场份额,位居行业第四。2026年7月,长鑫科技成功在科创板上市,开盘市值突破3万亿元,创造了A股历史。

虽然与三星、海力士、美光三大巨头合计超过90%的市场份额相比仍有不小差距,但长鑫的出现,打破了海外厂商对中国存储芯片市场的长期垄断,也证明了一件事:即便在最受限的领域,自主技术加上本土市场的支撑,依然可以开辟出一条属于自己的生存之路。

晋华与长鑫这十年截然不同的命运,一方面源于起步时期的技术选择——是利用资本吸引技术,还是将资金投入自研中;另一方面也在于时代背景,相比晋华的无力反击,长鑫的成功也得益于中国半导体设备的崛起。

END

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