捷捷微电：未来将继续聚焦并深耕于功率半导体，持续加大研发投入

捷捷微电（300623）2024年度业绩网上说明会4月21日下午在全景网举行。公司副董事长、总经理黄健介绍，公司未来将继续聚焦并深耕于功率半导体，持续加大研发投入，每年不少于总营收的8%，2024年研发投入2.72亿元。公司在晶闸管、MOSFET、TVS、FRD、功率二极管等取得高速成长的基础上，将加大对SGT MOS、SJ MOS、先进FRD、先进TVS、IGBT、功率模块等产品和技术的研发投入，持续拓宽产品结构、应用范围和客户结构，逐步扩大市场份额，且不断积累关键的核心技术，以创新来驱动符合产业发展的产业链升级。

同时，公司通过与中科院微电子研究所、西安电子科技大学、中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的“产学研”的长期合作，完成了硅基IGBT功率管、SiC肖特基二极管、SiC MOS晶体管、GaN基电力电子器件关键技术等原创性突破，研发效率、创新能力及定制转化等明显提升，对公司未来发展形成有力支撑。

捷捷微电成立于1995年3月，公司专业从事功率半导体芯片和器件的研发、设计、生产和销售，具备以先进的芯片技术和封装设计、制程及测试为核心竞争力的IDM业务体系为主。公司集功率半导体器件、功率集成电路、新型元件的芯片研发和制造、器件研发和封测、芯片及器件销售和服务为一体的功率（电力）半导体器件制造商和品牌运营商。（全景网）

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