隔夜美股存储芯片板块大跌,7月28日,韩国KOSPI指数一度跌到熔断。
A股三大股指全线下跌,芯片板块早盘低开后快速回升。
截至前一交易日,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪的科创芯片设计指数(950162.CSI)近一年上涨85.49%。截至9:35,科创芯片设计ETF浦银(589250)跌1.71%,早盘一度跌近4%;样本股,国芯科技涨0.4%、灿芯股份涨0.34%、裕太微-U涨0.11%,普冉股份跌7.65%、佰维存储跌5.15%、澜起科技跌3.19%、晶晨股份跌2.35%、东芯股份跌2.34%。
Wind数据显示,截至前一交易日,科创芯片设计ETF浦银(589250)截至前一交易日,近一月合计净流入2711.99万元。
消息面上,据报道,我国已开始生产自主研发的浸没式深紫外光刻机(DUV),今年5台、目标2027年20台。国产光刻机设备预计将在今年内交付给中国主要晶片制造商。
中信证券研报认为,继续全面看好国产算力产业链,从稀缺的先进制程能力,到百花齐放的设计公司,到超节点预计均会迎来放量机会,同时先进制程、先进封装、先进存储以及配套产业链有望迎来强劲增长动能。
科创芯片设计ETF浦银(589250)紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数(950162),高度聚焦50只科创板芯片设计上市公司,其中数字芯片设计权重占比近八成。规避了半导体材料设备、制造、封测等环节,在芯片板块环节中,相较半导体材料指数估值较低,更契合产业发展趋势。
弹性方面,上证科创板芯片设计主题指数只包含科创板的芯片设计公司,成分股单日涨跌幅为±20%,弹性更大、进攻性更强。
成长性方面,科创芯片设计ETF浦银(589250)跟踪上证科创板芯片设计主题指数,在2024年1月5日-2026年3月30日期间,标的指数累计上涨141.86%,是涨幅第一的芯片行业主题指数,高于科创芯片(133.60%)、中证全指半导体(97.77%)和半导体材料设备(98.39%)。
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