中瓷电子：乘AI算力与国产替代东风，“壳+芯”全链能力驱动高质量增长

8月24日晚间，国内高端电子陶瓷及第三代半导体龙头中瓷电子（003031.SZ）交出了一份高质量的中报业绩答卷。这份成绩单清晰传递出：在“电子陶瓷+第三代半导体”双核驱动下，AI算力基础设施建设与半导体产业链自主可控的历史性机遇，正在公司的报表端加速兑现。

01 财务透视：双核驱动营收高增，盈利质量与现金流共振向上

上半年，中瓷电子的多维度核心指标共振向上：

收入跨越式增长，双核业务齐头并进。上半年，中瓷电子紧抓全球AI算力基础设施建设与半导体产业链自主可控的历史性机遇，在手订单与经营业绩实现显著增长，产能利用率维持在较高水平，实现营业收入22.11亿元，同比增长54.76%。

分业务板块看，公司的两大核心业务均实现增长，结构进一步优化。上半年，公司的电子陶瓷材料及元件业务实现营业收入16.51亿元，占公司营收68.17%，同比高增70.16%。作为公司的基本盘业务，电子陶瓷在AI算力爆发式需求的拉动下，展现出强劲的增长势能。当前，中瓷电子的光通信器件外壳和基板传输速率已覆盖2.5Gbps至3.2Tbps全速率段，其中1.6Tbps高端产品已批量供货，3.2Tbps产品技术能力同步国际前沿，充分适配AI智算中心高速互联的核心需求。

表：中瓷电子2026年上半年收入结构

数量来源：公司半年报

上半年，中瓷电子的另一大核心第三代半导体器件及模块业务稳扎稳打，实现营业收入7.71亿元，同比增长12.55%，占营收比重31.83%。当前，中瓷电子的氮化镓射频功放芯片技术水平达到国际领先，已在世界主流通信公司得到规模应用；碳化硅MOSFET技术水平达到国际先进，已在新能源汽车、充电桩等领域开始大批量应用；上半年完成收购并表的雄安太芯的太赫兹芯片已与多家行业头部企业签订战略合作协议并实现供货。

利润高增长，盈利能力稳中有升。2026年上半年，中瓷电子的归母净利润4.03亿元，同比增长41.22%；扣非净利润3.80亿元，同比增长44.31%。在收入快速放量的同时，盈利能力稳中有进：上半年销售毛利率维持在32.07%的较高水平，加权净资产收益率（ROE）6.02%，同比提升1.79个百分点，展现出良好的规模效应与成本控制能力。

现金流表现亮眼，财务结构稳健。2026年上半年，中瓷电子经营活动产生的现金流量净额达4.33亿元，同比增长22.37%，且高于当期净利润，且值得一提的是，公司过去几年的经营净现金流持续保持稳健，主业“造血”能力强劲。截至二季度末，公司总资产90.97亿元，资产负债率仅25.49%，较低的杠杆率为后续产能扩张与技术研发提供了充足的资金保障。

研发投入加码，筑牢技术护城河。2026年上半年，公司研发投入约2亿元，同比增长22.36%，再创新高；研发投入强度长期保持在9%以上，为公司技术创新与产品迭代奠定坚实基础。截至2026年6月末，公司累计授权专利达到243项。

重视股东回报，分红彰显信心。业绩向好的同时，公司不忘回报股东，拟向全体股东每10股派发现金红利1.85元（含税），合计派发约8300万元。2021年上市以来，公司逐年实施现金分红，累计派发现金红利5.64亿元，充分体现了充沛的现金流状况与回报股东的诚意。

整体来看，这是一组“量级、质量、后劲”兼具的财务数据，集中兑现了公司基本面的强劲增长。

02 护城河剖析：技术+产业化+品牌壁垒，铸就全球第一梯队地位

亮眼数据的背后，是本轮AI浪潮与国产替代的产业东风，也源于中瓷电子数十年深耕沉淀的系统性竞争优势。

技术工艺层面，中瓷电子构建了完全自主的材料体系与全链条工艺能力。在电子陶瓷领域，公司掌握系列化氧化铝陶瓷和氮化铝陶瓷及相匹配金属化体系的完整知识产权；具备全套多层陶瓷外壳制造技术，建立了国际先进的多层陶瓷外壳、陶瓷薄膜基板、6/8/12英寸静电卡盘和加热盘制造工艺平台；光通信器件外壳和基板传输速率已覆盖2.5Gbps到3.2Tbps全速率段，与国外同类产品技术水平相当。此外，公司还具备氧化铝、氮化铝等陶瓷材料与新型金属封接的热力学可靠性仿真能力，满足新一代无线功率器件外壳散热和可靠性需求。在第三代半导体领域，旗下子公司博威公司建立了5G大功率基站氮化镓射频器件平台、5GMIMO基站氮化镓射频器件平台、微波点对点通信射频器件平台、半导体器件可靠性技术研究平台；子公司国联万众现有SiC 功率模块包括650V、1200V 和1700V 等系列产品，碳化硅MOSFET 在头部车企量产应用；子公司雄安太芯公司则具备太赫兹芯片设计技术开发平台和快速批量测试能力。

产业化层面，公司具备全球头部的批量交付能力。在电子陶瓷领域，公司具备高端电子陶瓷外壳、陶瓷薄膜基板和6/8/12英寸静电卡盘和加热盘批量生产能力，相关产品的产能和供货能力处于全球头部地位。在第三代半导体领域，公司具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设。国联万众碳化硅芯片晶圆工艺线已于2025年由6英寸升级至8英寸并通线，进一步提升了碳化硅功率产品的市场竞争力。

市场与品牌层面，公司在三大细分赛道均确立了国内领先甚至"国内唯一"地位。在电子陶瓷领域，公司作为国内电子陶瓷封装龙头企业，光模块封装陶瓷外壳和薄膜基板市占率处于全球头部地位，是国内能与国际知名企业进行竞争的少数厂商之一、我国电子陶瓷外壳的主要代表企业，是国务院国资委创建世界一流专业领军示范企业、工信部第八批制造业单项冠军企业和专精特新"小巨人"企业。在氮化镓射频领域，公司是国内领先的氮化镓通信基站射频芯片与器件供应商，细分领域产品市场占有率国内第一，氮化镓射频功放芯片技术水平达到国际领先并已在世界主流通信公司得到规模应用。在太赫兹芯片领域，公司细分领域产品市场占有率国内第一、多款产品国内唯一，产品性能国内领先、国际先进。三家核心子公司分别在各自赛道占据领先地位，形成了"多点开花"的业务版图。

技术工艺是根基，产业化能力是杠杆，品牌客户是结果——三重优势环环相扣，共同构成了中瓷电子在AI算力与国产替代浪潮中深度受益的底层能力支撑。

03 成长前瞻：AI算力与国产替代共振，三大引擎打开空间

立足当前，中瓷电子的成长逻辑正在从"单一电子陶瓷龙头"向"综合性半导体标杆"跨越，三大增长极正在协同发力：

首先，是AI算力驱动的电子陶瓷业务持续高景气。全球新一轮AI技术爆发带动算力需求激增，将持续拉动数据中心建设和升级，光模块封装用陶瓷外壳和基板市场需求也有望持续快速增长。据国盛证券测算，2026年光模块领域陶瓷元器件总市场规模约135亿元，至2027年预计激增至200亿—220亿元，年度增幅达到48%以上，量价齐升趋势明确。中瓷电子作为电子陶瓷行业的龙头企业、国内能与国际知名企业进行竞争的少数厂商之一，1.6T产品批量供货、3.2T产品技术就绪，将深度受益于这一产业趋势。

其次，是半导体设备精密陶瓷零部件加速国产替代。半导体设备用静电卡盘、加热盘等精密陶瓷零部件，是我国半导体设备"突破卡脖子"的关键。据中信证券研报援引弗若斯特沙利文数据，近几年国内半导体结构陶瓷零部件市场的国产化率仅19%，替代空间仍然广阔。公司开发的陶瓷加热盘产品核心技术指标已达到国际同类产品水平，且已批量应用于国产半导体设备中；静电卡盘产品也通过了上机验证。这一业务"有望成为公司未来三至五年的增长极，也是国产替代的核心突破口"。

再者，是第三代半导体与高频芯片多点开花。中瓷电子的碳化硅功率模块在新能源汽车主驱应用已通过多家车企性能和可靠性验证，在OBC应用实现批量供货，覆盖数百万台新能源车；氮化镓射频聚焦5G-A、6G及低轨卫星通信等领域，目前处于技术迭代与示范应用阶段，待下游行业标准落地、市场规模起量后，将有望迎来产业化集中落地；通过收购雄安太芯，中瓷电子成功布局太赫兹芯片领域，补齐了高频频段技术与产品短板，与公司高频陶瓷封装技术形成深度上下游协同。

04 结语：乘势而上，高质量发展路径清晰

中瓷电子的2026年半年报，是一份"收入高增、盈利提升、现金流健康、订单饱满"的高质量答卷。在AI算力基础设施建设与半导体产业链自主可控的历史性机遇下，公司依托多重竞争壁垒，电子陶瓷业务强势放量，第三代半导体稳扎稳打，精密陶瓷零部件蓄势待发。

作为电子陶瓷行业的龙头企业、国内能与国际知名企业进行竞争的少数厂商之一、我国电子陶瓷外壳的主要代表企业，中瓷电子正从单一的电子陶瓷龙头阔步迈向综合性半导体标杆，中长期成长路径清晰、确定性高。

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