万亿寒王来了！芯片密集催化：长鑫拿下200亿DRAM大单、韩国万亿级扩产！科创芯片ETF汇添富(588750)大涨3.88%创新高

6月30日，A股三大指数涨跌不一，半导体板块延续近期强势，存储芯片方向领涨。截至午盘，科创芯片ETF汇添富(588750)上涨3.88%，权重股中，翱捷科技-U涨停、源杰科技涨11.78%、仕佳光子涨8.9%、寒武纪涨8.84%、睿创微纳涨8.19%，华峰测控跌3.22%、华海清科跌2.81%、佰维存储跌0.78%、中微公司跌0.69%、华虹宏力跌0.18%。

近期，芯片领域迎来密集利好催化。

海外方面，韩国总统李在明宣布"三大超级项目"：三星与SK海力士将在西南部合建四座芯片工厂，投资规模约800万亿韩元，目标五年内DRAM产能翻倍；AI数据中心领域投入更高达1000万亿韩元。

国内方面，存储芯片龙头长鑫存储与腾讯控股签署了一份价值超过200亿元人民币(约合29.4亿美元)的长期供应协议。与此同时，苹果公司正争取获批采购国产长鑫存储的DRAM芯片，理由是AI数据中心扩张引发内存空前短缺。

此外，科创芯片ETF汇添富（588750）的第一大权重股——寒武纪近期市值突破万亿大关，成为A股半导体板块又一标志性事件。作为国产AI算力核心供应商，寒武纪深度受益于大模型训练与推理需求爆发，其市值跃升与长鑫存储的DRAM大单、韩国超级扩产计划形成共振，从存储到计算、从国内到全球，全面印证了AI基建浪潮对芯片全产业链的深刻重塑。

摩根大通研报显示，本轮存储超级周期将"更高、更长"，全球存储TAM从2025年2140亿美元飙升至2028年1.68万亿美元，DRAM收入2028年料达1.23万亿美元；CPU已成新一轮存储上涨核心催化剂。

截至前一交易日，科创芯片ETF汇添富（588750）近5日“吸金”超15亿元；近一周涨幅11.81%，近一月涨幅31.44%，近三月涨幅97.98%，近六月涨幅101.54%，近一年涨幅209.45%。过往表现突出。数据显示，科创芯片ETF汇添富(588750)最新规模达83.79亿元

看好半导体产业AI历史性机遇，可关注科创芯片ETF汇添富(588750)，普通投资者可低门槛借道ETF进行布局，无需单独开通权限，一键分散风险，高效把握中国半导体产业升级的核心机遇。

AI基建迎超级周期，存储、CPU、晶圆、先进封装等供需缺口全面超预期，科创芯片ETF汇添富（588750）标的指数CPU/GPU+存储+先进制造含量高达82%！高度聚焦高纯度芯片赛道。20CM涨跌幅“大长腿”轻松把握高景气赛道成长机遇。场外投资者可关注联接基金（A：020628；C：020629），可7*24申赎。

免责声明：所有平台仅提供服务对接功能，资讯信息、数据资料来源于第三方，其中发布的文章、视频、数据仅代表内容发布者个人的观点，并不代表泡财经平台的观点，不构成任何投资建议，仅供参考，用户需独立做出投资决策，自行承担因信赖或使用第三方信息而导致的任何损失。投资有风险，入市需谨慎。