微导纳米2026年湾芯展发布两款PVD新品钌新工艺破解超薄成膜难题

10月14日，微导纳米（688147.SH）在2026湾芯展正式发布iMagtron PVD系列两款产品。此次发布将PVD补入自有产品体系，形成ALD、CVD、PVD三大沉积路线体系性全覆盖。

对客户而言，此前按环节分别采购验证多类别ALD、CVD、PVD薄膜沉积设备的场景有望改变，客户可在同一供应商体系内完成多路线协同验证。微导纳米可提供Demo设备、定制工艺开发和多材料验证支持，业务覆盖逻辑、存储、先进封装、化合物半导体、硅基微显示等场景，有望降低整体工艺集成成本、加快工艺导入和良率提升。

微导纳米已形成以ALD为核心、CVD梯次发展、PVD完善版图的三大沉积路线全覆盖。ALD是核心路线，公司是国内首家将量产型高介电常数（High-k）ALD设备应用于集成电路前道生产线的国产厂商，iTomic系列覆盖高k栅氧、MIM介质、批量式成膜及等离子增强等需求；CVD为梯次发展路线，iTronix系列覆盖硬掩模碳膜与多种介质膜，LPCVD已获产业链重要客户重复订单。本次发布的PVD为iMagtron系列磁控溅射系统，主要满足传统制程、先进制程与先进封装对薄膜沉积的金属化需求，涵盖金属电极、扩散阻挡层、种子层、互连金属化等环节，三大路线协同更加完整。

从行业视角看，能否覆盖ALD、CVD、PVD三大沉积路线，是衡量平台化能力的重要标尺。此次发布的意义不仅在于PVD产品矩阵的扩充，而是以原子级制造为根基、以多路线组合为方向、以客户产线工艺目标为导向，平台化协同能力迈出关键一步。对行业而言，这意味着高端沉积装备国产化正从单点可用走向多路线系统规划。

随着制程节点持续演进、存储单元堆叠层数不断提升，传统铜互连的RC延迟与可靠性挑战日益突出。金属Ru（钌）在纳米尺度下具有电阻率增幅相对较小、抗电迁移能力较强等特性，被视为存储器后铜时代可替代替代传统阻挡层的关键互连材料，相关工艺亦可适用于先进逻辑互连、先进封装硅通孔（TSV）铜阻挡层等场景。

Ru（钌）量产的核心难点在于连续性沉积成膜。Ru（钌）在二氧化硅等绝缘表面沉积时成核慢，初期易形成难以二维连续生长的岛状晶核；若岛状晶核无法合并为连续薄膜，超薄Ru（钌）就会出现断膜、孔洞，无法承担阻挡层或种子层角色。这也是目前Ru（钌）从实验室走向量产的核心技术壁垒之一。

微导纳米此次展示的金属Ru（钌）ALD新工艺，重点解决了超薄Ru（钌）薄膜连续成膜难题，该工艺基于iTomic MeT产品及特殊硬件设计实现，在未来还将与公司 CVD 、 PVD 产品集成，给客户提供先进工艺节点的全新技术解决方案。

iMagtron 系列PVD产品以及Ru（钌）等新材料工艺的推出，表明微导纳米已完成从单点产品突破到系统化专用设备研发及量产能力的构建。随着新产品和新工艺在客户端陆续兑现，不仅将为公司半导体业务提供更稳定、更可持续的增长支撑，也将进一步强化其在高端薄膜沉积装备领域的平台化定位。